V IN
I rr
V IN
V DS
100% of I D
120% of I D
I D
10% of I D
I D
V DS
t ON
t rr
(a) Turn-on
t OFF
(b) Turn-off
Figure 4. Switching Time Definitions
14.50mm
3.80mm
MOSFET
Case Temperature(Tc)
Detecting Point
Figure 5. Switching and RBSOA (Single-pulse) Test Circuit (Low-side)
Input Signal
UV Protection
Status
Low-side Supply, V CC
RESET
UV CCD
DETECTION
UV CCR
RESET
MOSFET Current
Figure 6. Under-Voltage Protection (Low-Side)
Input Signal
UV Protection
Status
High-side Supply, V BS
RESET
UV BSD
DETECTION
UV BSR
RESET
MOSFET Current
Figure 7. Under-Voltage Protection (High-Side)
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FSB50550T Rev. C4
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
FSB50550US MODULE SPM 500V 1.2A SPM23
FSB50550UTD MOD SPM 500V 2A SPM23-ED
FSB50550U IC SMART POWER MOD 2A SPM22-AD
FSB50825US IC POWER MOD SPM 250V 4A SPM23BD
FSB52006S MODULE SPM SMART PWR SPM23-BA
FSBB15CH60C IC POWER MOD SPM 600V SPM27CC
FSBB15CH60F MODULE SPM 600V SPM27-CA
FSBB20CH60CL SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB
相关代理商/技术参数
FSB50550TB2 功能描述:IGBT 模块 1.2A 500V SPM5 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FSB50550U 功能描述:IGBT 模块 500V/1.2A Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FSB50550US 功能描述:IGBT 模块 500V, 1.2A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FSB50550UTD 功能描述:IGBT 模块 Smart Power Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FSB50660SF 功能描述:分立半导体模块 Motion SPM 5 SuperFET Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 产品: 类型: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Tube
FSB50660SFT 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:600V, 1A, 3 PHASE, SUPERFET SMART POWER MODULE - Rail/Tube 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOD SPM 600V 3.1A SPM5N-023 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RAIL / 600V, 1A, 3 PHASE, SuperFET SMART POWER MODULE
FSB50760SF 功能描述:分立半导体模块 Motion SPM 5 SuperFET Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 产品: 类型: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Tube
FSB50760SFT 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:600V, 1A, 3 PHASE, SUPERFET SMART POWER MODULE - Rail/Tube 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOD SPM 600V 1A SPM5N-023 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RAIL / 600V, 1A, 3 PHASE, SuperFET SMART POWER MODULE